Найти

Результаты поиска

• ДИСКРЕТНО-АНАЛОГОВЫЙ ФИЛЬТР ВТОРОГО ПОРЯДКА НА ПЕРЕКЛЮЧАЕМЫХ КОНДЕНСАТОРАХ С ПЕРЕСТРОЙКОЙ ЧАСТОТЫ ПОЛЮСА ЦИФРОВЫМ ПОТЕНЦИОМЕТРОМ

  Д.Ю. Денисенко , Н.Н. Прокопенко , Ю.И. Иванов , Д.В. Кузнецов

  179-189

  2025-11-10

  Аннотация ▼

  Разработан и исследован дискретно-аналоговый фильтр второго порядка на двух частотозадающих конденсаторах. Предлагаемая схема содержит два входа (In_LPF_HPF, In_BPF_NPF) и четыре выхода (Out_LPF, Out_BPF, Out_HPF, Out_NPF). Тип фильтра (числитель передаточной функции) определяется путем подключения к соответствующему входу схемы источника сигнала и съема сигнала с соответствующего выхода. Затухание полюса зависит от сопротивления одного резистора R5, который не влияет на другие параметры. Поэтому затухание полюса может перестраиваться с помощью этого резистора. Для установления коэффициента передачи в полосе пропускания на заданном уровне в ФНЧ и ФВЧ целесообразно использовать резистор R1, а для ПФ и РФ – резистор R2. Изменение данных резисторов не будет вызывать изменения других параметров схемы фильтра. Установлено, что частота полюса зависит от сопротивления резистора R8 или цифрового потенциометра , коэффициент передачи которого может изменяться путем изменения двоичного цифрового кода , подаваемого на его управляющие входы, а остальные параметры звена фильтра от них не зависят, поэтому путем изменения сопротивления этого резистора или коэффициента передачи цифрового потенциометра частота полюса может перестраиваться в широком диапазоне при сохранении других параметров. Компьютерное моделирование исследуемого дискретно-аналогового фильтра выполнено в среде Micro-Cap. Приведены последовательности импульсов, управляющих электронными ключами. Показаны графики выходных напряжений на выходах схемы (Out_LPF, Out_BPF, Out_HPF, Out_NPF). Применение цифрового потенциометра в схеме фильтра крайне перспективно при построении адаптивных систем обработки сигналов

• УПРАВЛЕНИЕ ГРУППОЙ БПЛА ПРИ ОТРАБОТКЕ КРИЗИСНЫХ ПОЛЕТНЫХ СИТУАЦИЙ В РЕШЕНИИ ТРАНСПОРТНЫХ ЗАДАЧ

  А.И. Савельев , В.В. Лебедева , И.В. Лебедев , К.В. Камынин , Л.Д. Кузнецов , А.Л. Ронжин

  2022-04-21

  Аннотация ▼

  В работе обоснована актуальность разработки алгоритмов управления группой БпЛА
  при возникновении кризисных ситуаций, влияющих на выполнение поставленной задачи по
  доставке грузов в труднодоступные места. Описан алгоритм автономного коллективного
  (децентрализованного) управления группой БпЛА при выполнении целевой задачи транспор-
  тировки грузов, а также комбинированного управления при возникновении кризисных ситуа-
  ций, когда режим автономного управления невозможно реализовать в полном объеме. Под-
  робно описан алгоритм отработки кризисной ситуации при нехватке энергетического ресур-
  са на борту БпЛА и возврате агентов группы на стартовую позицию. Представлены резуль-
  таты моделирование движения группы БпЛА мультироторного и самолетного типов и от-
  работки кризисной ситуации по управлению группой БпЛА на основе информации о запасах
  энергетических или топливных ресурсов. В ходе проведения экспериментов итеративно вы-
  полнялся расчет остатка топлива при движении БпЛА в точку посадки, а также количест-
  ва топлива, доступного БпЛА в данный момент времени. В результате экспериментов было
  выявлено, что время расчета остатка энергетического ресурса не превышает 6,792 мс.
  В случае, если топливо заканчивается у лидера, миссия транспортировки груза завершается
  досрочно, поскольку не может быть выполнена без участия лидера. При выходе из строя
  нескольких ведомых миссия может быть продолжена в том случае, если их количество не
  превышает заданного значения, критичного для продолжения миссии доставки груза. Приве-
  дены результаты экспериментальных исследований моделированию полета БпЛА с грузом, в
  ходе которых выполнялось построение полетной маршрута, имитирующего криволинейную
  траекторию движения в городских условиях от точки старта до конечной точки, где проис-
  ходит посадка БпЛА и передача груза. В экспериментах использовался разработанные БпЛА
  и бортовая система крепления термоконтейнера. При проведении летных испытаний сред-
  няя скорость горизонтального движения БпЛА была задана 10 м/с. Протяженность полета
  составляла 5350 м. Время, затраченное на полет, составило 13 мин. 51 с.

• ПРОФИЛИРОВАНИЕ РЕФЛЕКТОРА ЗЕРКАЛЬНОЙ АНТЕННЫ ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ ЗАДАННОГО КОНТУРА ГЛАВНОГО ЛЕПЕСТКА ДИАГРАММЫ НАПРАВЛЕННОСТИ

  К.М. Занин , Д.Д. Габриэльян , Ю.В. Кузнецов , С.Е. Мищенко

  2024-10-08

  Аннотация ▼

  При построении комплексов спутниковой связи требуется обеспечение заданного уровня ко-
  эффициента усиления бортовой антенны в строго определенной области покрытия и значитель-
  но более низкого уровня вне этой области. Граница области покрытия при этом может иметь
  сложную, но неизменную в течение всего периода эксплуатации форму. Для удовлетворения дан-
  ных требований применяются, в том числе, зеркальные антенны с профилированным рефлекто-
  ром, в которых закон профилирования поверхности описывается гладкими аналитическими функ-
  циями. Однако при формировании контурной диаграммы направленности с более сложной формой
  сечения главного лепестка требуемое фазовое распределение может иметь разрывы при переходе
  через период 2π, которые не могут быть аппроксимированы гладкими функциями без искажений. В данном случае известные подходы к профилированию рефлекторов зеркальных антенн не позво-
  ляют синтезировать диаграмму направленности с заданным качеством. Целью работы являлось
  построение рефлектора зеркальной антенны с одиночным облучателем, обеспечивающей форми-
  рование диаграммы направленности с заданными параметрами. Для достижения поставленной
  цели решены следующие задачи: 1. Разработка алгоритма определения профиля рефлектора зер-
  кальной антенны с учетом требуемой формы границы обслуживаемой территории и заданного
  закона распределения коэффициента усиления; 2. Проведение численных исследований по построе-
  нию профиля рефлектора. В ходе проведенных исследований разработан алгоритм определения
  профиля рефлектора зеркальной антенны, который позволяет формировать на апертуре антен-
  ны распределение поле, соответствующее диаграмме направленности с требуемыми параметра-
  ми. Для этого выполнен расчет распределения поля на плоскости, и синтезирована поверхность
  рефлектора на основании результатов расчета. Проведенные численные исследования подтверди-
  ли возможность построения зеркальной антенны, обеспечивающей формирование диаграммы
  направленности с заданными параметрами.

• ОСНОВЫ ПРОЕКТИРОВАНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ АНАЛОГОВЫХ МИКРОСХЕМ НА ШИКОРОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ (ОБЗОР)

  А.В. Бугакова , Д.В. Кузнецов , В. Е. Чумаков , Д. В. Клейменкин , М. А. Сергеенко

  2023-10-23

  Аннотация ▼

  Представлен аналитический обзор перспективных технологических процессов для
  высокотемпературных аналоговых микросхем, востребованных в космическом, авиацион-
  ном и автомобильном приборостроении, нефтехимической промышленности, электроэнер-
  гетики, электроники военного назначения, медицине и др. Рассмотрены проблемы проек-
  тирования микросхем данного класса на широкозонных полупроводниках (карбид-кремний
  (SiC), нитрид-галлий (GaN), арсенид-галлий (GaAs)), обеспечивающих широкий диапазон
  рабочих температур (-200°С…+500°С). В настоящее время «слаботочная» схемотехника
  на SiC, GaN, GaAs шикорозонных полупроводниках для работы при высоких температурах
  крайне не развита, что не позволяет проектировать аналоговые изделия нового поколения
  в интересах российских предприятий. Сегодня многие актуальные вопросы SiC, GaN, GaAs
  высокотемпературной схемотехники и динамики не решены. Необходимы исследования
  конструктивно-технологических решений, а также отвода тепла. В этой связи в статье
  проведен анализ проблем проектирования микросхем данных классов. При этом следует
  учитывать ограничения технологических процессов, которые, во многих случаях, позволя-
  ют создавать только однотипные активные элементы, что затрудняет построение мик-
  росхем. Актуальность вышеназванных исследований связана с проблемами импортозаме-
  щения в условиях санкций, когда закупка электронной компонентной базы ответственного
  применения у зарубежных фирм становится недоступной. Нужны российские рекоменда-
  ции по разработки правил проектирования аналоговых интерфейсных микросхем (операци-
  онных и мультидифференциальных операционных усилителей, трансимпедансных и заря-
  дочувствительных усилителей, компенсационных стабилизаторов напряжения и буферных
  усилителей, токовых конвейеров и т.п.) под задачи обработки сигналов датчиков физиче-
  ских величин в диапазоне высоких температур (+150°С … +500°С).