Перейти к основному контенту Перейти к главному меню навигации Перейти к нижнему колонтитулу сайта
##common.pageHeaderLogo.altText##
Известия ЮФУ
Технические науки
  • Текущий выпуск
  • Предыдущие выпуски
    • Архив
    • Выпуски 1995 – 2019
  • Редакционный совет
  • О журнале
    • Официально
    • Основные задачи
    • Основные рубрики
    • Специальности ВАК РФ
    • Главный редактор
English
ISSN 1999-9429 print
ISSN 2311-3103 online
  • Вход
  1. Главная /
  2. Найти

Найти

Расширенные фильтры
Опубликовано после
Опубликовано до

Результаты поиска

Найдено результатов: 2.
  • МЕТОДЫ ЛОГИЧЕСКОГО РЕСИНТЕЗА ДЛЯ ТОПОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЕКТИРОВАНИЯ МИКРОЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМ

    Н. О. Васильев , П. И. Фролова , Г. А. Иванова , А. Н. Щелоков
    2020-11-22
    Аннотация ▼

    С уменьшением технологических норм возрастает число правил проектирования.
    Для сокращения временных затрат на проверку правил проектирования для технологий 22
    нм и ниже переходят к использованию регулярных структур в нижних слоях топологии.
    При проектировании схем на основе регулярного шаблона становится возможным совме-
    щение логического и топологического этапов проектирования. Данная задача также ак-
    туальна для проектирования схем на ПЛИС. В данной работе рассматривается метод
    структурной оптимизации логических схем на этапе топологического проектирования.
    Метод адаптирован для применения в маршруте проектирования схем с регулярными
    структурами в нижних слоях топологии, а также для ресинтеза технологических ото-
    бражений на ПЛИС. Для схем с применением регулярных структур предлагается метод
    логического синтеза в базисе элементов, для которых построены компактные топологиче-
    ские шаблоны. Это позволяет упростить этап топологического проектирования, а также
    ведет к дополнительному снижению площади проектируемого устройства. Оптимизация
    логических схем для ПЛИС проводится при помощи алгоритма моделирования отжига,
    производящего логические операции над специальной графовой моделью, учитывающей
    особенности ПЛИС. Учет особенностей различных технологий в предлагаемом методе
    позволяет добиться хороших результатов по необходимым параметрам, в частности по
    занимаемой проектируемой схемой площади.

  • ЛОГИЧЕСКИЙ РЕСИНТЕЗ КОМБИНАЦИОННЫХ СХЕМ ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ СБОЕУСТОЙЧИВОСТИ

    Н.О. Васильев , М.А. Заплетина , Г. А. Иванова , А.Н. Щелоков
    2020-11-22
    Аннотация ▼

    При функционировании микроэлектронных устройств в условиях космоса необходимо
    учитывать внешние воздействия. Работа устройства в подобных условиях затрудняется
    негативным влиянием радиационного излучения на электронные компоненты схемы. Воз-
    действие тяжелых заряженных частиц приводит к одиночным сбоям логических элемен-
    тов, из-за чего логика работы устройства может быть нарушена. В связи с этим при
    проектировании электронных схем, которые будут использоваться в космических аппара-
    тах, необходимо выполнение повышенных требований к устойчивости интегральных схем
    (ИС) к одиночным сбоям. По мере уменьшения технологических норм проектирования ИС
    проблема сбоеустойчивости становится актуальной и для изделий микроэлектроники
    гражданского применения. Решение данной задачи обычно осуществляется методами ап-
    паратной защиты, к которым относятся методы помехоустойчивого кодирования, мето-
    ды резервирования, а также методы логической защиты. В данной статье рассматрива-
    ются методы оценки устойчивости ИС к одиночным сбоям в логических элементах, а
    также основные методы защиты схем. В работе предлагается техника ресинтеза логиче-
    ских комбинационных схем, использующая логические ограничения, выводимые с помощью
    метода резолюций, для оценки устойчивости к одиночным сбоям. В ходе ресинтеза предла-
    гается использовать методы логической защиты уязвимых участков схемы, что не влечет
    ощутимого роста занимаемой устройством площади, свойственного методам резервиро-
    вания и помехоустойчивого кодирования.

1 - 2 из 2 результатов

links

Для авторов
  • Подать статью
  • Требования к рукописи
  • Редакционная политика
  • Рецензирование
  • Этика научных публикаций
  • Политика открытого доступа
  • Сопроводительные документы
Язык
  • English
  • Русский

journal

* не является рекламой

index

Индексация журнала
* не является рекламой
Информация
  • Для читателей
  • Для авторов
  • Для библиотек
Адрес редакции: 347900, г. Таганрог, ул. Чехова, д. 22, А-211 Телефон: +7 (8634) 37-19-80 Электронная почта: iborodyanskiy@sfedu.ru
Публикация в журнале бесплатна
Больше информации об этой издательской системе, платформе и рабочем процессе от OJS/PKP.
logo Сайт разработан командой ЦИИР