Перейти к основному контенту Перейти к главному меню навигации Перейти к нижнему колонтитулу сайта
##common.pageHeaderLogo.altText##
Известия ЮФУ
Технические науки
  • Текущий выпуск
  • Предыдущие выпуски
    • Архив
    • Выпуски 1995 – 2019
  • Редакционный совет
  • О журнале
    • Официально
    • Основные задачи
    • Основные рубрики
    • Специальности ВАК РФ
    • Главный редактор
English
ISSN 1999-9429 print
ISSN 2311-3103 online
  • Вход
  1. Главная /
  2. Найти

Найти

Расширенные фильтры
Опубликовано после
Опубликовано до

Результаты поиска

Найдено результатов: 2.
  • ЛОГИЧЕСКАЯ ЯЧЕЙКА ДЛЯ СБИС НА ОСНОВЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С P-N-ПЕРЕХОДАМИ

    П.Г. Грицаенко , Л. А. Светличная
    97-106
    2025-08-01
    Аннотация ▼

    В 80-е годы прошлого столетия в качестве элементной базы широко применялась
    интегральная инжекционная логика (И2Л) Несколько позднее в развитие возможностей
    И2Л для построения СБИС появилась инжекционно-полевая логика (ИПЛ). Благодаря при-
    менению в качестве ключевого элемента инвертора полевого транзистора, в данном эле-
    ментном базисе удалось существенно сократить важный для СБИС показатель – потреб-
    ляемую мощность – достигнув пиковаттного диапазона. Еще большее снижение потреб-
    ляемой мощности может быть достигнуто использованием в элементарной ячейке ин-
    вертора двух полевых транзисторов, которое предлагается в настоящей работе. Данный
    элементный базис предложено называть полевой-полевой логикой, или в дальнейшем П2Л.
    Для снижения габаритов П2Л-ячейки полевые транзисторы, как ключевой, так и нагрузоч-
    ный, выполнены с вертикальным каналом. Кроме того, для обеспечения положительного
    напряжения питания в качестве ключевого используется n-канальный транзистор, в каче-
    стве нагрузочного – p-канальный транзистор. Оба транзистора являются нормально за-
    крытыми, т.е. закрыты при нулевом напряжении на затворе каждого из них. Рассмотре-
    ны топологические варианты выполнения П2Л-ячейки от геометрии с кольцевыми затво-
    рами до геометрии с линейными затворами. Топологическими нормами, принятыми в рас-
    смотрении, являются нормы 50 нм. Потребляемая мощность в данном элементном базисе
    снижена по сравнению с ИПЛ примерно в два раза, благодаря тому, что ток через нагру-
    зочные транзисторы, так же, как и через ключевые, в цепочке инверторов протекает че-
    рез один инвертор. Рассмотрен технологический процесс изготовления П2Л-ячейки, рас-
    считаны профили распределения примесей по глубине. Технологический процесс изготовле-
    ния разработан с учетом того, что нагрузочный p-канальный транзистор должен быть
    выполнен в изолированном кармане по технологии полной диэлектрической изоляции. При-
    ведены технологические режимы изготовления П2Л-ячейки. Предлагаемый конструктивно-
    технологический вариант П2Л-ячейки может быть рекомендован для создания СБИС с
    низкой потребляемой мощностью

  • ИНЖЕКЦИОННО-ПОЛЕВАЯ СТРУКТУРА, ВЫПОЛНЕННАЯ ДВОЙНОЙ ДИФФУЗИЕЙ ПРИМЕСЕЙ

    П.Г. Грицаенко
    2023-06-07
    Аннотация ▼

    В 80-е годы прошлого столетия в качестве элементной базы широко применялась инте-
    гральная инжекционная логика (И2Л). Несколько позднее в развитие И2Л для построения СБИС
    появилась инжекционно-полевая логика (ИПЛ). Оба элементных базиса близки по степени ин-
    теграции на кристалле. Увеличения степени интеграции в СБИС можно достигнуть с исполь-
    зованием самосовмещения областей, при котором введение примесей разного типа осуществ-
    ляется с использованием одной границы маскирующего материала. В данной работе этот
    принцип используется для создания вертикального канала ключевого полевого транзистора
    ИПЛ-логики. В эпитаксиальной пленке p-типа, нанесенной на подложку n+-типа, последова-
    тельно создаются сначала область n-типа с глубиной большей толщины эпитаксиальной плен-
    ки, а затем в то же окно выполняется диффузия примеси с созданием области p-типа. Про-
    межуток между этими областями n-типа является каналом формируемого полевого
    транзистора. Далее создается мелкая область n+-типа, перекрывающая канал, которая
    является областью стока ключевого полевого транзистора с вертикальным каналом,
    диффузионная область p-типа является затвором, а однородно легированная область
    эпитаксиальной пленки выполняет функцию инжектора. Разветвление по выходу в даннойИПЛ-структуре обеспечивается путем размещения нескольких стоков по периметру кана-
    ла. Благодаря такой геометрии, структура обладает большей воспроизводимостью пара-
    метров по сравнению с основной конструкцией ИПЛ. Рассмотрены топологические вари-
    анты выполнения ИПЛ-ячейки и схем на ее основе: схемы 6 ИЛИ-НЕ и Dt-триггера. Пред-
    лагаемый конструктивно-технологический вариант ИПЛ-ячейки может быть рекомендо-
    ван для создания СБИС высокой степени интеграции.

1 - 2 из 2 результатов

links

Для авторов
  • Подать статью
  • Требования к рукописи
  • Редакционная политика
  • Рецензирование
  • Этика научных публикаций
  • Политика открытого доступа
  • Сопроводительные документы
Язык
  • English
  • Русский

journal

* не является рекламой

index

Индексация журнала
* не является рекламой
Информация
  • Для читателей
  • Для авторов
  • Для библиотек
Адрес редакции: 347900, г. Таганрог, ул. Чехова, д. 22, А-211 Телефон: +7 (8634) 37-19-80 Электронная почта: iborodyanskiy@sfedu.ru
Публикация в журнале бесплатна
Больше информации об этой издательской системе, платформе и рабочем процессе от OJS/PKP.
logo Сайт разработан командой ЦИИР