ИНЖЕКЦИОННО-ПОЛЕВАЯ СТРУКТУРА, ВЫПОЛНЕННАЯ ДВОЙНОЙ ДИФФУЗИЕЙ ПРИМЕСЕЙ
Аннотация
В 80-е годы прошлого столетия в качестве элементной базы широко применялась инте- гральная инжекционная логика (И2Л). Несколько позднее в развитие И2Л для построения СБИС появилась инжекционно-полевая логика (ИПЛ). Оба элементных базиса близки по степени ин- теграции на кристалле. Увеличения степени интеграции в СБИС можно достигнуть с исполь- зованием самосовмещения областей, при котором введение примесей разного типа осуществ- ляется с использованием одной границы маскирующего материала. В данной работе этот принцип используется для создания вертикального канала ключевого полевого транзистора ИПЛ-логики. В эпитаксиальной пленке p-типа, нанесенной на подложку n+-типа, последова- тельно создаются сначала область n-типа с глубиной большей толщины эпитаксиальной плен- ки, а затем в то же окно выполняется диффузия примеси с созданием области p-типа. Про- межуток между этими областями n-типа является каналом формируемого полевого транзистора. Далее создается мелкая область n+-типа, перекрывающая канал, которая является областью стока ключевого полевого транзистора с вертикальным каналом, диффузионная область p-типа является затвором, а однородно легированная область эпитаксиальной пленки выполняет функцию инжектора. Разветвление по выходу в даннойИПЛ-структуре обеспечивается путем размещения нескольких стоков по периметру кана- ла. Благодаря такой геометрии, структура обладает большей воспроизводимостью пара- метров по сравнению с основной конструкцией ИПЛ. Рассмотрены топологические вари- анты выполнения ИПЛ-ячейки и схем на ее основе: схемы 6 ИЛИ-НЕ и Dt-триггера. Пред- лагаемый конструктивно-технологический вариант ИПЛ-ячейки может быть рекомендо- ван для создания СБИС высокой степени интеграции.
