ИНЖЕКЦИОННО-ПОЛЕВАЯ СТРУКТУРА, ВЫПОЛНЕННАЯ ДВОЙНОЙ ДИФФУЗИЕЙ ПРИМЕСЕЙ

Аннотация

В 80-е годы прошлого столетия в качестве элементной базы широко применялась инте-
гральная инжекционная логика (И2Л). Несколько позднее в развитие И2Л для построения СБИС
появилась инжекционно-полевая логика (ИПЛ). Оба элементных базиса близки по степени ин-
теграции на кристалле. Увеличения степени интеграции в СБИС можно достигнуть с исполь-
зованием самосовмещения областей, при котором введение примесей разного типа осуществ-
ляется с использованием одной границы маскирующего материала. В данной работе этот
принцип используется для создания вертикального канала ключевого полевого транзистора
ИПЛ-логики. В эпитаксиальной пленке p-типа, нанесенной на подложку n+-типа, последова-
тельно создаются сначала область n-типа с глубиной большей толщины эпитаксиальной плен-
ки, а затем в то же окно выполняется диффузия примеси с созданием области p-типа. Про-
межуток между этими областями n-типа является каналом формируемого полевого
транзистора. Далее создается мелкая область n+-типа, перекрывающая канал, которая
является областью стока ключевого полевого транзистора с вертикальным каналом,
диффузионная область p-типа является затвором, а однородно легированная область
эпитаксиальной пленки выполняет функцию инжектора. Разветвление по выходу в даннойИПЛ-структуре обеспечивается путем размещения нескольких стоков по периметру кана-
ла. Благодаря такой геометрии, структура обладает большей воспроизводимостью пара-
метров по сравнению с основной конструкцией ИПЛ. Рассмотрены топологические вари-
анты выполнения ИПЛ-ячейки и схем на ее основе: схемы 6 ИЛИ-НЕ и Dt-триггера. Пред-
лагаемый конструктивно-технологический вариант ИПЛ-ячейки может быть рекомендо-
ван для создания СБИС высокой степени интеграции.