Перейти к основному контенту Перейти к главному меню навигации Перейти к нижнему колонтитулу сайта
##common.pageHeaderLogo.altText##
Известия ЮФУ
Технические науки
  • Текущий выпуск
  • Предыдущие выпуски
    • Архив
    • Выпуски 1995 – 2019
  • Редакционный совет
  • О журнале
    • Официально
    • Основные задачи
    • Основные рубрики
    • Специальности ВАК РФ
    • Главный редактор
English
ISSN 1999-9429 print
ISSN 2311-3103 online
  • Вход
  1. Главная /
  2. Найти

Найти

Расширенные фильтры
Опубликовано после
Опубликовано до

Результаты поиска

Найден один результат.
  • СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ДВУХ- И ОДНОКАСКАДНЫХ BJT-JFET ОПЕРАЦИОННЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ

    О.В. Дворников , В. А. Чеховский , А.В. Кунц , Н. Н. Прокопенко , В.Е. Чумаков
    2023-10-23
    Аннотация ▼

    Рассмотрены операционные усилители с разным количеством усилительных каска-
    дов, реализованные на комплементарных биполярных транзисторах и входных полевых
    транзисторах, с управляющим p-n-переходом. Для элементов базового матричного кри-
    сталла МН2ХА031 приведены оригинальные электрические схемы трех вариантов усили-
    телей (OAmp11.3, OAmp12, OAmp14), содержащих одинаковый блок смещения статическо-
    го режима и выходной каскад. Схема OApm11.3 содержит входной дифференциальный
    каскад в виде «перегнутого» каскода на p-JFET и промежуточный усилительный каскад на
    биполярных транзисторах. Операционный усилитель OAmp12 включает входной сдвоенный
    истоковый повторитель на p-JFET и «перегнутый» каскод на комплементарных биполяр-
    ных транзисторах. Схема ОAmp14 реализована на основе сдвоенных истоковых повтори-
    телях на p-JFET и высокоточном преобразователе напряжение-ток на комплементарных
    биполярных транзисторах в промежуточных каскадах. Представленные электрические
    схемы характеризуются малым напряжением смещения нуля, сравнительно большим ко-
    эффициентом усиления по напряжению и могут использоваться для применения в аппара-
    туре специального и двойного назначения. При проектировании ОУ на базовом матричном
    кристалле МН2ХА031 проводился поиск компромиссного сочетания входного тока, уровня
    шумов и коэффициента усиления по напряжению, причем особое внимание уделялось выбо-
    ру режима работы входных JFET. Исследованы возможности создания схем с одним уси-
    лительным каскадом, которые обычно обеспечивают меньший уровень шумов, простую
    частотную коррекцию и большую полосу пропускания. Для адекватного сравнения разра-
    ботанных усилителей выполнено моделирование их статических и динамических парамет-
    ров при одинаковом рабочем режиме идентичных по назначению схемных элементов, что
    позволило сформулировать рекомендации по схемотехническому синтезу операционных
    усилителей в зависимости от требуемого сочетания параметров. При оптимизации ре-
    жима работы транзисторов «перегнутого» каскода с входными JFET были использованы
    рекомендации, заключающиеся в необходимости увеличения крутизны входных JFET тран-
    зисторов и падения напряжения на эмиттерных резисторах источников опорного тока.

1 - 1 из 1 результатов

links

Для авторов
  • Подать статью
  • Требования к рукописи
  • Редакционная политика
  • Рецензирование
  • Этика научных публикаций
  • Политика открытого доступа
  • Сопроводительные документы
Язык
  • English
  • Русский

journal

* не является рекламой

index

Индексация журнала
* не является рекламой
Информация
  • Для читателей
  • Для авторов
  • Для библиотек
Адрес редакции: 347900, г. Таганрог, ул. Чехова, д. 22, А-211 Телефон: +7 (8634) 37-19-80 Электронная почта: iborodyanskiy@sfedu.ru
Публикация в журнале бесплатна
Больше информации об этой издательской системе, платформе и рабочем процессе от OJS/PKP.
logo Сайт разработан командой ЦИИР