Найти

Результаты поиска

• ИМПУЛЬСНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР С N-P ПЕРЕХОДОМ, ОБЛУЧЕННЫХ ПРОТОНАМИ

  Н.М. Богатов , В.С. Володин , Л.Р. Григорьян , А.И. Коваленко , М.С. Коваленко

  2022-11-01

  Аннотация ▼

  В настоящее время активно развиваются методы создания полупроводниковых
  структур с заданными свойствами с помощью облучения ионизирующими частицами (ин-
  женерия радиационных дефектов). Взаимодействие радиационных дефектов с примесями,
  дислокациями и другими дефектами структуры обусловливает изменение свойств полу-
  проводников и полупроводниковых приборов. Облучение протонами позволяет контроли-
  руемо создавать радиационные дефекты с максимумом распределения в заранее рассчи-
  танной области. Цель работы – анализ влияния облучения низкоэнергетическими прото-
  нами на импульсные характеристики кремниевых структур с n+-p переходом. Задача –
  определение эффективного времени жизни  носителей заряда в области пространствен-
  ного заряда (ОПЗ) n+-p перехода. Исследовались n+-p-p+-структуры из кремния, выращен-
  ного методом Чохральского, облучённые со стороны n+-слоя потоком низкоэнергетических
  протонов при температуре образцов 300 K и 83 K. Для измерения импульсных характери-
  стик использовались биполярные прямоугольные импульсы напряжения с постоянной ам-
  плитудой 10 mV и частотой 1 MHz. Экспериментальные данные объясняются с помощью
  моделей нестационарного переноса носителей заряда в неоднородных полупроводниках и
  образования радиационных дефектов в кремнии под действием протонов. Рассчитаны
  распределения по глубине среднего числа первичных радиационных дефектов: междоузель-
  ного кремния, вакансий, дивакансий, созданных одним протоном на единице длины проек-
  тивного пробега. Показано, что облучение протонами с дозой 1015 cm2 и энергией 40 keV
  не изменяет значение , а с энергией 180 keV создает в ОПЗ n+-p перехода область с эф-
  фективным временем жизни 5.5108 s.

• ОСОБЕННОСТИ СХЕМОТЕХНИКИ ОПЕРАЦИОННЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ НА КОМПЛЕМЕНТАРНЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С УПРАВЛЯЮЩИМ PN-ПЕРЕХОДОМ

  Н.Н. Прокопенко , В.Е. Чумаков , А.В. Бугакова , А.Е. Титов

  126-135

  2025-08-01

  Аннотация ▼

  Систематическая составляющая напряжения смещения нуля (Uсм) двухкаскадных
  BJT и CMOS операционных усилителей (ОУ) с классической архитектурой существенно
  зависит от численных значений (отличия от единицы) коэффициента передачи по току
  (Ki≈1) применяемых токовых зеркал (ТЗ). На данный параметр ТЗ оказывает также влия-
  ние напряжения Эрли их доминирующих активных компонентов. Поэтому, токовые JFET
  зеркала являются сегодня слабым звеном в современной JFET аналоговой схемотехнике и
  их нецелесообразно применять в структуре JFET ОУ. В статье поставлена и решена зада-
  ча об условиях исключения ТЗ в ОУ на основе полевых транзисторов с управляющим pn-
  переходом для случая, когда необходимо получить малое значение Uсм. Предлагаются вари-
  анты практических схем входных (ВК) и промежуточных (ПК) каскадов микроэлектрон-
  ных операционных усилителей на комплементарных полевых транзисторах с управляющим
  pn-переходом (CJFET). Их основная особенность – отсутствие токового зеркала, которое
  при реализации на CJFET отрицательно влияет на основные параметры ОУ по система-
  тической составляющей напряжения смещения нуля, коэффициентам ослабления входного
  синфазного сигнала и подавления помех по шинам питания. В этой связи перспективны
  схемы ВК и ПК, которые не используют данный CJFET функциональный узел. Приведены
  схемы операционных усилители на основе разработанных ВК с разомкнутым коэффициен-
  том усиления более 80 дБ и систематической составляющей напряжения смещения нуля в пределах 300мкВ при малом токопотреблении в статическом режиме. Актуальность вы-
  полненных исследований заключается в необходимости развития теории проектирования
  высокоточных JFET и CJFET IP-модулей для применения в структурах малошумящих ана-
  логовых интерфейсов датчиков различных физических величин, в том числе работающих в
  тяжелых условиях эксплуатации (воздействие низких температур и радиации). Предла-
  гаемые схемы могут быть реализованы на широкозонных полупроводников (SiC JFET,
  GaN JFET или GaAs JFET).