Найти

Результаты поиска

• ИМПУЛЬСНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР С N-P ПЕРЕХОДОМ, ОБЛУЧЕННЫХ ПРОТОНАМИ

  Н.М. Богатов , В.С. Володин , Л.Р. Григорьян , А.И. Коваленко , М.С. Коваленко

  2022-11-01

  Аннотация ▼

  В настоящее время активно развиваются методы создания полупроводниковых
  структур с заданными свойствами с помощью облучения ионизирующими частицами (ин-
  женерия радиационных дефектов). Взаимодействие радиационных дефектов с примесями,
  дислокациями и другими дефектами структуры обусловливает изменение свойств полу-
  проводников и полупроводниковых приборов. Облучение протонами позволяет контроли-
  руемо создавать радиационные дефекты с максимумом распределения в заранее рассчи-
  танной области. Цель работы – анализ влияния облучения низкоэнергетическими прото-
  нами на импульсные характеристики кремниевых структур с n+-p переходом. Задача –
  определение эффективного времени жизни  носителей заряда в области пространствен-
  ного заряда (ОПЗ) n+-p перехода. Исследовались n+-p-p+-структуры из кремния, выращен-
  ного методом Чохральского, облучённые со стороны n+-слоя потоком низкоэнергетических
  протонов при температуре образцов 300 K и 83 K. Для измерения импульсных характери-
  стик использовались биполярные прямоугольные импульсы напряжения с постоянной ам-
  плитудой 10 mV и частотой 1 MHz. Экспериментальные данные объясняются с помощью
  моделей нестационарного переноса носителей заряда в неоднородных полупроводниках и
  образования радиационных дефектов в кремнии под действием протонов. Рассчитаны
  распределения по глубине среднего числа первичных радиационных дефектов: междоузель-
  ного кремния, вакансий, дивакансий, созданных одним протоном на единице длины проек-
  тивного пробега. Показано, что облучение протонами с дозой 1015 cm2 и энергией 40 keV
  не изменяет значение , а с энергией 180 keV создает в ОПЗ n+-p перехода область с эф-
  фективным временем жизни 5.5108 s.