Найти

Результаты поиска

• ИССЛЕДОВАНИЕ МЕМРИСТИВНЫХ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР С ПРОФИЛИРОВАННЫМ ЭЛЕКТРОДОМ ДЛЯ НЕЙРОМОРФНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

  И.Л. Житяев , М. С. Картель , Ю.Ю. Житяева , А. А. Авакян , В. А. Смирнов

  2025-04-27

  Аннотация ▼

  Представлены результаты разработки наноразмерных мемристорных структур, примене-
  ние которых является перспективным для аппаратной реализации систем искусственного интел-
  лекта. Предложена конструкция мемристорной ячейки на основе пленки оксида титана толщи-
  ной от 3 до 50 нм, верхний электрод которой представлял профилированную структуру в виде
  двух высокоаспектных острийных наноразмерных структур (ВОНС), у которой одно из острий
  было с радиусом 10 нм, а радиус острия второй варьировался в диапазоне от 10 до 50 нм. В каче-
  стве материала для верхнего электрода была выбрана платина из-за ее уникальных физико-
  химических свойств, в том числе высокой химической инертности в широком диапазоне темпера-
  тур и агрессивных сред, низкого удельного электрического сопротивления и устойчивости к окис-
  лению. Эти характеристики делают платину оптимальным материалом для использования в
  электронных устройствах и сенсорных системах, где требуется долговременная стабильность и
  минимальные потери энергии при передаче сигнала. Представлены результаты моделирования
  распределения напряженности электрического поля в межэлектродном промежутке мемристор-
  ной ячейки. Моделирование проводилось с использованием программного обеспечения COMSOL
  Multiphysics, в которой решаются системы нелинейных дифференциальных уравнений в частных
  производных методом конечных элементов, при разности потенциалов между электродами 5 В.
  На основе результатов моделирования получены и проанализированы зависимости величины на-
  пряженности электрического поля от геометрических параметров мемристорной ячейки. Выяв-
  лено локальное усиление напряженности электрического поля по периметру интерфейса оксида с
  ВОНС. Усиление неоднородности напряженности электрического поля возрастает с увеличением
  толщины оксидной пленки и может достигать 13,4%. Полученные результаты могут быть ис-
  пользованы при разработке нейроморфной электронной компонентной базы робототехнических
  систем и систем искусственного интеллекта на основе мемристоров