Найти

Результаты поиска

• ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ РЕЖИМОВ ОТЖИГА ПОДЛОЖКИ GAAS(111) НА ХАРАКТЕРИСТИКИ НАНОУГЛУБЛЕНИЙ, ФОРМИРУЕМЫХ ФОКУСИРОВАННЫМИ ИОННЫМИ ПУЧКАМИ ПРИ РАЗЛИЧНОМ ВРЕМЕНИ ВОЗДЕЙСТВИЯ

  Е. А. Лахина , Н.Е. Черненко , Н. А. Шандыба , С.В. Балакирев , М.С. Солодовник

  2025-01-14

  Аннотация ▼

  Представлены результаты экспериментальных исследований процессов формирования уг-
  лублений методом фокусированных ионных пучков на подложках GaAs(111) и их последующей
  трансформации в процессе отжига в сверхвысоковакуумной камере молекулярно-лучевой эпитак-
  сии в потоке мышьяка и в его отсутствие. Установлено, что при времени воздействия ионного
  пучка, равного 1 мс, процессы накопления ионов в подложке преобладают над процессами распы-
  ления материала, тогда как при времени, равном 5 мс, происходит интенсивное распыление мате-
  риала подложки в точках воздействия ионного пучка с увеличением глубины вытравливаемых уча-
  стков при повышении числа проходов. После отжига подложек с участками, модифицированными
  фокусированным ионным пучком, углубления значительно увеличиваются в размерах в результате
  процессов локального капельного травления. Исследования показали, что размеры углублений после
  отжига в потоке мышьяка превышают размеры углублений после отжига в отсутствие потока
  мышьяка почти во всем диапазоне чисел проходов ионного пучка. Зависимости глубины и лате-
  рального размера углублений от числа проходов ионного пучка имеют немонотонный характер,
  обусловленный конкуренцией процессов капельного травления и кристаллизации областей, моди-
  фицированных ионным пучком, в потоке мышьяка. Результаты проведенных экспериментальных
  исследований свидетельствуют о том, что для получения высокосимметричных пирамидальных
  углублений с низкой поверхностной плотностью требуется создание на поверхности GaAs(111)
  массива точек обработки фокусированного ионного пучка с интервалом 2 мкм при времени воз-
  действия 5 мс и количестве проходов, равном 40. На следующем этапе необходима трансформа-
  ция точек обработки ионного пучка в углубления пирамидальной формы посредством отжига
  подложки в камере молекулярно-лучевой эпитаксии при температуре 600°С и временном интерва-
  ле 60 минут. Предложенная в работе методика, основанная на комбинации процессов ионно-
  лучевой обработки поверхности и молекулярно-лучевой эпитаксии, позволяет получить наноуглуб-
  ления с требуемой симметрией, которые в дальнейшем могут служить центрами зарождения
  квантовых точек InAs с заданными свойствами.