Найти

Результаты поиска

• ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ОРТОГОНАЛЬНЫХ СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ЧАСТОТНО-ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ АВТОДИННОГО ТИПА

  И.В. Малышев , Н.В. Паршина , А.А. Охотникова

  2023-06-07

  Аннотация ▼

  В рамках дрейфово-диффузионной модели переноса носителей в объёме полупроводников
  типа AIIIBV, при внешнем воздействии сильных постоянных электрических и магнитных полей,
  ортогонально ориентированных относительно друг друга, предложен новый принцип примене-
  ния обнаруженных эффектов, в которых учитываются нелинейности выходных параметров
  рабочего чипа, что приводит к возможности создания новых полупроводниковых структур,
  управляемых магнитным полем (МУПС). Ранее диффузионная компонента плотности выход-
  ного тока не учитывалась как отдельный эффект, возникающий при ортогональном воздейст-
  вии сильных электрических и магнитных компонент, что было впервые рассмотрено в настоя-
  щей работе. Показано, что эта компонента входит в состав индукционного поперечного вы-
  ходного тока и может быть рассмотрена, как самостоятельный эффект. В основе предло-
  женного практического применения лежат классические соотношения, описывающие компо-
  нентное пространственное представление энергозависимости эффективной массы и пара-
  метров кинетических уравнений дрейфа и разогрева носителей в объёме структуры высокопод-
  вижных полупроводников типа AIIIBV. (Зависимость от энергии величины обратной эффектив-
  ной массы получена в предположении утяжеления этого параметра в рамках двухдоллинного
  представления. Однако, механизм такого увеличения детально не рассматривается, а учитывается как результат разложения в ряд Тейлора.) При этом гипотетически обнаружены
  также некоторые новые явления: диффузионный детекторный эффект и поперечный индукци-
  онный эффект, управляемый магнитным полем, аналогичный по своему проявлению эффекту
  Ганна в этом направлении. Полученные результаты открывают перспективу для создания
  принципиально новых частотно-преобразовательных устройств на базе вышеуказанных
  МУПС, таких как преобразователи (смесители) автодинного типа, одна из конструкций
  которых так же предложена в данной работе в волноводном исполнении. В случае экспери-
  ментального подтверждения обнаруженных эффектов, которые могут быть исследованы
  по предложенной в работе структурной схеме измерительной установки, можно сделать
  вывод о перспективных новых применениях магнитоуправляемых полупроводниковых струк-
  тур. Кроме того, разработчикам будет интересна возможность использования угла ориен-
  тации магнитного поля для управления выходными параметрами таких структур в составе
  преобразователей частоты.