Статья

Название статьи ДИФФУЗИОННАЯ МОДЕЛЬ ПРОЦЕССА ДЕГРАДАЦИИ КОНТАКТОВ МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ
Автор С.А. Богданов, А.Г. Захаров, А.А. Лытюк
Рубрика РАЗДЕЛ 3. ЭЛЕКТРОНИКА, РАДИОЭЛЕКТРОНИКА, НАНОТЕХНОЛОГИИ
Месяц, год 01, 2012
Индекс УДК 681.586.72:543.27.08
DOI
Аннотация Предложена диффузионная модель процесса деградации электрофизических свойств контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки, обусловленного перераспределением электрически активных примесей вследствие диффузии во внутренних электрических полях. Модель учитывает наличие в полупроводнике дефектов, обусловленных электрически активными примесями и несовершенством кристаллического строения, их пространственное распределение, а также топологию и структуру диода. Предложенная диффузионная модель процесса деградации электрофизических свойств контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки позволяет оценить время наработки на отказ при постепенном отказе диодов Шоттки и может быть использована в системах автоматизированного проектирования элементов интегральных микросхем.

Скачать в PDF

Ключевые слова Диод Шоттки; диффузия; потенциал; деградация; уравнение Пуассона; отказ.
Библиографический список 1. Стриха В.И., Бузанева Е.В. Физические основы надежности контактов металлполупроводник в интегральной электронике. – М.: Радио и связь, 1987. – 256 с.
2. Абдуллаев Г.Б., Джафаров Т.Д. Атомная диффузия в полупроводниковых структурах. – М.: Атомиздат, 1980. – 280 с.
3. Яншин А.А. Теоретические основы конструирования, технологии и надежности ЭВА. – М.: Радио и связь, 1983. – 312 с.
4. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. – М.: Энергия, 1973. – 656 с.
5. Блекмор Дж. Статистика электронов в полупроводниках. – М.: Мир, 1964. – 392 с.
6. Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. – М.: Мир, 1977. – 562 с.

Comments are closed.