Статья

Название статьи МАТЕМАТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ, ВСТРОЕННЫЕ В СИСТЕМУ TCAD, ДЛЯ УЧЕТА ВЛИЯНИЯ ГАММА- И НЕЙТРОННОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
Автор К.О. Петросянц, М.В. Кожухов, Д.А. Попов, Е.В. Орехов
Рубрика РАЗДЕЛ II. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ
Месяц, год 06, 2012
Индекс УДК 621.382.3
DOI
Аннотация В работе представлены математические модели для учета влияния поглощенной дозы гамма-излучения и интегрального потока нейтронов на характеристики субмикронных транзисторов. Описана процедура встраивания моделей в систему приборно-технологического моделирования Synopsys TCAD. Рассчитаны следующие зависимости: 1) сток-затворные характеристики для верхнего и нижнего затворов и ток утечки МОП-транзистора с длиной затвора 90 нм, изготовленного по технологии кремний на изоляторе, для различных поглощенных доз гамма-излучения; 2) фактор повреждений от интегрального потока нейтронов для гетеропереходного биполярного транзистора, выполненного по 0,13 мкм технологии кремний-германий.

Скачать в PDF

Ключевые слова Приборно-технологическое моделирование; поглощенная доза; гамма-излучение; интегральный поток нейтронов; МОП-транзистор; гетеропереходный биполярный транзистор.
Библиографический список 1. Synopsys Sentaurus TCAD, ver. C-2009.06, www.synopsys.com.
2. Никифоров А.Ю., Телец В.А А., Чумаков А.И. Радиационные эффекты в КМОП ИС. –Радио и связь, 1994.
3. Петросянц К.О., Орехов Е.В., Самбурский Л.М. и др. Трехмерное моделирование рационных токов утечки в су убмикронных МОП-транзисторах со структурой «кремний на изоляторе» // Известия вузо ов. Электроника. – 2010. – № 2 (82). – С. 81-83.
4. Вологдин Э.Н., Смирнов Д. С. Эмпирические соотношения для зависимости коэффициента радиационного изменения времени жизни носителей заряда в кремнии при нейтронном облучении от уровня инжекции и степени легирования // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру.– 2010. – Вып. 2. – C. 17-22.

Comments are closed.