Статья

Название статьи ВЫРАЩИВАНИЕ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ БУФЕРНЫХ СЛОЕВ ALN/ALGAN ДЛЯ СНИЖЕНИЯ ПЛОТНОСТИ ДИСЛОКАЦИЙ В HEMT ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ GAN
Автор А.Н. Алексеев, С.И. Петров, Д.М. Красовицкий, В.П. Чалый, В.В. Мамаев, В.Г. Сидоров
Рубрика РАЗДЕЛ I. НАНОЭЛЕКТРОНИКА
Месяц, год 09, 2014
Индекс УДК 621.382.211
DOI
Аннотация Рассмотрены особенности получения нитридных HEMT гетероструктур методом аммиачной и плазменной МЛЭ.Показано, что использование высокотемпературных буферных слоев AlN/AlGaN, выращенных при использовании аммиака и экстремально высокой температуре (до 1150 oС), позволяет кардинально улучшить структурное совершенство активных слоев GaN и понизить плотность дислокаций в них до значений 9.108–1.109 см–2. Использование таких буферных слоев позволяет получать гетероструктуры GaN/AlGaN высокого качества обоими методами. С другой стороны, в отличие от аммиачной МЛЭ, которую трудно использовать при Т<500 oС (из-за низкой эффективности разложения аммиака) плазменная МЛЭ весьма эффективна при низких температурах, например, для выращивания слоев InAlN согласованных по параметру решетки с GaN. Продемонстрированы результаты выращивания гетероструктур AlN/AlGaN/GaN/InAlN методом МЛЭ как с плазменной активацией азота, так и с использованием экстремально высокого потока аммиака.

Скачать в PDF

Ключевые слова Молекулярно-лучевая эпитаксия; гетероструктуры; HEMT; буферный слой; нитрид галлия.
Библиографический список 1. Lamba S. et al. Electron microscopy investigations of purity of AlN interlayer in AlxGa1− xN/GaN heterostructures grown by plasma assisted molecular beam epitaxy // Applied Physics Letters. – 2013. – Vol. 102, № 19. – P. 191-604.
2. Ng H. M. et al. The role of dislocation scattering in n-type GaN films // Applied physics letters. – 1998. – Vol. 73, № 6. – P. 821-823.
3. Nakamura S., Mukai T., Senoh M. In situ monitoring and Hall measurements of GaN grown with GaN buffer layers // J. Appl. Phys. – 1992. – Vol. 71. – P. 5543-5549.
4. Koblmьller G., Wu F., Mates T. [et al.] High electron mobility GaN grown under N-rich conditions by plasma assisted molecular beam epitaxy // Applied Physics Letters. – 2007. – Vol. 91. – P. 221905-1–221905-3.
5. James S. Speck et al. Molecular beam epitaxy of In AlN lattice-matched to GaN with homogeneous composition using ammonia as nitrogen source // Applied Physics Letters. – 2012. – Vol. 100, № 7. – P. 072107.

Comments are closed.