Статья

Название статьи МОДЕЛИРОВАНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛА В БАРЬЕРАХ ШОТТКИ НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЯ Si1-xGEx
Автор А.Г. Захаров, С.А. Богданов, А.А. Лытюк
Рубрика РАЗДЕЛ II. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ СЛОЖНЫХ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ
Месяц, год 08, 2009
Индекс УДК 621.382.22
DOI
Аннотация В работе обсуждаются вопросы моделирования распределения потенциала в области пространственного заряда полупроводника контакта металл-Si1-xGEx, с учетом особенностей распределения электрически активных примесей в полупроводнике, обусловленных различными технологическими процессами, применяемыми при изготовлении элементов интегральных схем.

Скачать в PDF

Ключевые слова Полупроводниковое соединение Si1-xGEx; уравнение Пуассона; молекулярно-лучевая эпитаксия; метод Монте-Карло; ионное легирование; распределение Гаусса; распределение Пирсона; метод конечных разностей.
Библиографический список 1. Пирс К. и др. Технология СБИС: В 2-х кн. Кн.1; Пер. с англ. / Под ред. С. Зи. – М.: Мир,1986. – 404 с.
2. Блекмор Дж. Статистика электронов в полупроводниках; Пер. с англ / Под ред. Л.Л. Коренблита. – М.: Мир, 1964. – 392 с.
3. Lhermite H. et al. Analysis of the field effect in metal-oxide-small grain polysilicon structure – experimentation and modeling // IEEE transactions on electron devices. – May 1988. – vol.15. – №5.
4. Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников. – 2 изд., перераб. и доп. – М.: Высшая школа, 1984. – 352 с.
5. Песков Н.В. Численное моделирование миграции атомов Ga в молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs // Математическое моделирование. – 1995. – T. 7. №3.
6. Мейер Дж., Эриксон Л., Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников (кремний и германий); Пер. с англ./Под ред. Гусева В.М. – М.: Мир, 1973. – 296 с.
7. Антонетти П. и др. МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов; Пер. с англ. В.Л. Кустова и др. Под ред. Суриса Р.А. – М.: Радио и связь, 1988. – 496 с.
8. Турчак Л.И., Плотников П.В. Основы численных методов: учебное пособие. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2005. – 304 с.
9. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн.1; Пер. с англ. – М.: Мир, 1984. – 456 с.

Comments are closed.