Статья

Название статьи РАСПРЕДЕЛЕНИE ПОТЕНЦИАЛА В БАРЬЕРАХ ШОТТКИ НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЯ Si1-xGex
Автор А.Г. Захаров, С.А. Богданов, А.А. Лытюк
Рубрика РАЗДЕЛ IV. ТОЧНЫЕ И ЕСТЕСТВЕННЫЕ НАУКИ
Месяц, год 02, 2010
Индекс УДК 621.382.22
DOI
Аннотация В работе приводятся результаты моделирования распределения потенциала в области пространственного заряда полупроводника наноконтакта металл-Si1-xGex. Моделирование проводилось с учетом особенностей распределения электрически активных примесей в полупроводнике. Результаты работы могут быть использованы при проектировании и производстве быстродействующей элементной базы на основе нанометрических гетероструктур и сенсоров физических величин с улучшенными значениями отдельных параметров.

Скачать в PDF

Ключевые слова Полупроводниковое соединение Si1-xGex; уравнение Пуассона; планарный контакт; краевые эффекты; цилиндрический контакт; сферический контакт; ионная имплантация; распределение примеси; закон Гаусса.
Библиографический список 1. Турчак Л.И., Плотников П.В. Основы численных методов: Учебное пособие. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2005. – 304 с.
2. Захаров А.Г., Котов В.Н., Богданов С.А. Моделирование распределения потенциала в барьерах Шоттки транзистора с металлической базой // Нано- и микросистемная техника. – 2007. – № 4.
3. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн.1 / Пер. с англ. – М.: Мир, 1984. – 456 с.
4. Das R. et al. Studies on the electrical characteristics of Ni and NiPt-alloy silicided Schottky diodes // Proceedings of the XXVIIIth General Assembly of International Union of Radio Science in New Delhi. October, 2005.
5. Jiang R.L. et al. Properties of Schottky contact of Al on SiGe alloys // Appl.Phys.Lett., vol.68, No.8, February, 1996.
6. Востоков Н.В., Шашкин В.И. Электрические свойства наноконтактов металл-полупроводник // Физика и техника полупроводников. – 2004. Т. 38. Вып. 9. – С. 1084-1088.
7. Мейер Дж., Эриксон Л., Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников (кремний и германий) / Пер. с англ./Под ред. Гусева В.М. – М.: Мир, 1973. – 296 с.
8. Пирс К. и др. Технология СБИС: В 2-х кн. Кн.1.Пер. с англ. / Под ред. С.Зи. – М.: Мир,1986. – 404 с.
9. Wittmann R., Hцssinger A., Selbeherr S. Monte-Carlo simulation of ion implantation in silicon-germanium alloys / Proceedings ESS.1, 35, 2003.

Comments are closed.