Статья

Название статьи МОДЕЛИРОВАНИЕ РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНОГО ЭФФЕКТА В НАНОСТРУКТУРАХ
Автор С.Н. Иващенко
Рубрика РАЗДЕЛ IV. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ
Месяц, год 06, 2010
Индекс УДК 621.3.045.21
DOI
Аннотация Рассмотрен один из основных физических эффектов, используемых в наноэлектронике, – резонансное туннелирование. Проведено математическое моделирование резонансного туннелирования в полупроводниковых наноструктурах. Разработанная модель позволяет вычислять коэффициенты прохождения через двухбарьерную структуру и отражения от неё носителей заряда в зависимости от их энергии.

Скачать в PDF

Ключевые слова Резонансно-туннельный эффект; двухбарьерные структуры; наноструктуры.
Библиографический список 1. Brown E.R., Somer T.C., Goodhue W.D., Parker W.D. Millimeter Band Oscillations Baseв on Resonant Tunneling in Double Barrier Diode at Room Temperature // Appl. Phys. Lett. 1987. – V. 50. – № 2. – P. 83-95.
2. Демиховский В.Я., Вугальтер Г.А. Физика квантовых низкоразмерных структур. – M.: Логос, 2000.
3. Ц. На. Вычислительные методы решения прикладных граничных задач. – М.: Мир, 1982.

Comments are closed.